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電子封裝用AlN燒結工藝及機理-《南昌大學》2011年碩士論文

氮化(hua)(hua)鋁(lv)陶瓷(ci)常壓燒結致密(mi)化(hua)(hua)抗水性自擴散系(xi)數(shu)小(xiao),通常需要(yao)熱壓燒結才能制備出高致密(mi)的氮化(hua)(hua)鋁(lv)陶瓷(ci)2.2實驗儀器設(she)備和原料(liao)31-322.3實驗方法(fa)32-332.3。

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氮(dan)化(hua)鋁陶瓷(ci)導熱性(xing)能良(liang)好,是集成電(dian)路(lu)基(ji)板和電(dian)子封(feng)裝的(de)理想材(cai)料。但氮(dan)化(hua)鋁為強共價(jia)鍵結合(he)物(wu),熔點(dian)高,自擴(kuo)散(san)系數小,通(tong)常需要熱壓燒(shao)結才(cai)能制備出高致密的(de)氮(dan)化(hua)鋁陶瓷(ci)。并且。

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氮(dan)化鋁(AlN)燒結(jie)爐溫度(du)均勻(yun)性(xing)批量生產(chan)《電子工(gong)業專用設備》2010年06期加入收藏(zang)投稿氮(dan)化鋁尤(you)其是在氮(dan)化鋁陶瓷批量生產(chan)過程中(zhong),陶瓷燒結(jie)爐的溫度(du)不均勻(yun)。

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但近(jin)幾年國(guo)(guo)(guo)際上很多國(guo)(guo)(guo)家(jia)在重視AlN基片材料研發(fa)工作(zuo)的(de)同時,對氮化鋁陶(tao)瓷燒(shao)(shao)結(jie)爐的(de)制備(bei)也越來越重視,由(you)此孕育(yu)出一些專業的(de)氮化鋁陶(tao)瓷燒(shao)(shao)結(jie)設備(bei)制造(zao)商,尤其(qi)是美國(guo)(guo)(guo)和日本(ben)。

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本文通過(guo)使用(yong)Y2O3、Li2CO3、Dy2O3、CaF2、CaO作(zuo)為添(tian)加劑(ji)(ji),研究不(bu)同添(tian)加劑(ji)(ji)對注射成型(xing)低溫燒結AlN提(ti)高致密度和(he)熱導率的作(zuo)用(yong)。實驗結果表明,使用(yong)Li2CO3,CaF2和(he)Y2O3。

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采用(yong)微(wei)波高溫燒(shao)結(jie)工(gong)藝,制備了致密的AlN陶(tao)瓷(ci)(ci),并初步探討(tao)了微(wei)波燒(shao)成環境對燒(shao)結(jie)體(ti)燒(shao)結(jie)陶(tao)瓷(ci)(ci)加工(gong)陶(tao)瓷(ci)(ci)相陶(tao)瓷(ci)(ci)量塊(kuai)陶(tao)瓷(ci)(ci)英語陶(tao)瓷(ci)(ci)機械(xie)陶(tao)瓷(ci)(ci)件陶(tao)瓷(ci)(ci)帽陶(tao)瓷(ci)(ci)設備。

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氮化鋁(lv)燒(shao)結級AlN-010-A1S產(chan)品(pin)AlN-010-A1S氮化鋁(lv)粉體經過成型燒(shao)結程序(xu)制成:用(yong)於射頻IC、高功率IC、LED晶片載(zai)板,高導熱電子(zi)基(ji)板,LED路燈(deng)熱電燈(deng)板,高導熱共燒(shao)陶瓷。

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微(wei)波(bo)燒(shao)(shao)(shao)結設備主要應用于(yu)燒(shao)(shao)(shao)結各種(zhong)高品質的(de)陶瓷(ci)(ci)、氮化(hua)硅、碳化(hua)硅、氧(yang)化(hua)鋁(lv)(lv)、氮化(hua)鋁(lv)(lv)、氧(yang)化(hua)鋯等;燒(shao)(shao)(shao)結電(dian)子陶瓷(ci)(ci)器件:PZT壓電(dian)陶瓷(ci)(ci)、壓敏電(dian)阻等。所謂微(wei)波(bo)燒(shao)(shao)(shao)結或微(wei)波(bo)燃燒(shao)(shao)(shao)合成。

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供應(ying):燒結(jie)氮化鋁(工藝技術資料(liao)配方圖紙參數)光盤當前價格:200.00元(yuan)1-BG52096含碳的(de)氮化鋁燒結(jie)體以及用于(yu)半(ban)導體制造(zao)檢(jian)測(ce)設備的(de)陶瓷基材2-BG。

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一種氮化(hua)鋁陶瓷的低溫燒結,包括(kuo)氮化(hua)鋁起(qi)始(shi)粉(fen)料選擇,添加物的選擇以及(ji)燒結工藝參數的選擇。其特征在于:(1)以碳熱(re)還原法(fa)及(ji)高溫自蔓延(yan)合成法(fa)制備的AlN粉(fen)體為(wei)起(qi)始(shi)。

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微波燒結設(she)備紙箱(xiang)刀(dao)具綠碳化(hua)(hua)硅砂倒角(jiao)刀(dao)具優質刀(dao)具泰珂(ke)洛刀(dao)具導(dao)熱(re)/導(dao)熱(re)粉(fen)/氮(dan)(dan)化(hua)(hua)鋁(lv)/氮(dan)(dan)化(hua)(hua)鋁(lv)粉(fen)導(dao)熱(re)/導(dao)熱(re)粉(fen)/氮(dan)(dan)化(hua)(hua)鋁(lv)/氮(dan)(dan)化(hua)(hua)鋁(lv)粉(fen)填充/填充劑/。

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本發(fa)明目的是(shi)提供一種能保持10#+〔8〕Ω.cm或(huo)更大(da)的體(ti)積電阻(zu)率的氮(dan)化(hua)鋁燒結(jie)體(ti),能保證覆蓋(gai)能力,大(da)的輻射熱量和(he)用溫度(du)顯示器測定時(shi)的準確度(du)。本發(fa)明的含碳(tan)氮(dan)化(hua)。

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一(yi)種氮化鋁燒結體,其特征在于包含1-10%(重(zhong)量(liang))從(cong)周期表Ⅲa族元素(su)、Ca、Sr、Ba中選擇的少。

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華(hua)順系列陶(tao)瓷覆(fu)銅板(ban)(氮化(hua)鋁(lv)、氧化(hua)鋁(lv)、氮化(hua)硅)燒結爐廣泛應用於陶(tao)瓷覆(fu)銅板(ban)(DBC0在(zai)保護氣(qi)氛中(zhong)的(de)鍵合(he)(he)、熱處理等工序。設備針對(dui)陶(tao)瓷復合(he)(he)的(de)特(te)殊工藝特(te)點設計了專有的(de)。

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[圖文(wen)]3.2.5高壓設備的高精度控(kong)制(zhi)系(xi)統3.2.6腔體介質材料(liao)的選擇3.2.7加熱源(yuan)石墨3.3高壓燒(shao)結腔體設計3.4高壓燒(shao)結AlN陶(tao)瓷(ci)制(zhi)備工(gong)藝流程3.4.1高壓燒(shao)結AlN。

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本(ben)發明提供(gong)一種高純(chun)度氮化鋁燒結體,其在(zai)氮化鋁燒結體制造時,有效地除去原料粉(fen)末(mo)中所(suo)含的(de)(de)氧化物(wu),且通(tong)過原料粉(fen)末(mo)中所(suo)含的(de)(de)氧化物(wu)與(yu)燒結助劑反應(ying)來防止生成的(de)(de)復合氧化。

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3.2.5高(gao)(gao)壓設備(bei)的(de)高(gao)(gao)精(jing)度控制系統(tong)3.2.6腔體介(jie)質材料的(de)選(xuan)擇3.2.7加(jia)熱(re)源石(shi)墨3.3高(gao)(gao)壓燒(shao)結腔體設計3.4高(gao)(gao)壓燒(shao)結AlN陶瓷制備(bei)工藝(yi)流程3.4.1高(gao)(gao)壓燒(shao)結AlN。

氮化鋁陶瓷:亞馬遜:圖書

熱(re)壓(ya)(ya)燒(shao)結(jie)AlN陶瓷(ci),以自(zi)蔓延(yan)高溫合成(SHS)的AlN粉體為原料,以Y2O3-B2O3-CaF2和YF3-B-CaF2系為燒(shao)結(jie)助劑,采用熱(re)壓(ya)(ya)燒(shao)結(jie)工(gong)藝制備(bei)AlN陶瓷(ci)。結(jie)果表明,采用燒(shao)結(jie)助劑,在。

AlN粉末的制備低溫燒結及其注射成形技術的研究-收費碩士博士

本(ben)論文探索(suo)了AlN陶瓷的燒結技術(shu),利(li)用本(ben)實驗室原位合成技術(shu)合成的AlN粉末制備出了高致密,高導熱(re)的AlN陶瓷。研究了AlN陶瓷的常壓燒結技術(shu)。通過熱(re)力學條(tiao)件和相圖的。

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41、含碳的氮(dan)化鋁(lv)燒結體以及用(yong)于半導體制造檢測(ce)設(she)備的陶瓷(ci)基材收(shou)錄(lu)氮(dan)化鋁(lv)陶瓷(ci)相關期刊文獻(xian)151項(xiang)1、海(hai)門(men)建(jian)成(cheng)氮(dan)化硅陶瓷(ci)基地2、高壓(ya)氮(dan)氣中自蔓(man)延(yan)燃燒合(he)成(cheng)氮(dan)化鋁(lv)。

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32CN00809591.4半(ban)導體(ti)加工(gong)設備的防腐(fu)組(zu)件及其(qi)制(zhi)造(zao)方法33CN02106821.6用于半(ban)導體(ti)和功率模件的絕(jue)緣(yuan)襯底板34CN02115663.8放電等離子燒結法制(zhi)備氮(dan)化鋁(lv)透(tou)明陶瓷(ci)35。

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