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ULSI硅襯底化學機械研磨技術研究StudyofCMPLappingTechnique
硅(gui)錳(meng)冶(ye)(ye)煉(lian)(lian)渣(zha)簡稱硅(gui)錳(meng)渣(zha),是冶(ye)(ye)煉(lian)(lian)硅(gui)錳(meng)合(he)(he)金的(de)過(guo)程中產生(sheng)的(de)固體廢渣(zha),由于冶(ye)(ye)煉(lian)(lian)工藝(yi)的(de)限(xian)制,硅(gui)錳(meng)冶(ye)(ye)煉(lian)(lian)渣(zha)中含有一(yi)定量的(de)硅(gui)錳(meng)合(he)(he)金,尤其(qi)是硅(gui)錳(meng)干渣(zha),其(qi)中的(de)硅(gui)錳(meng)合(he)(he)金含量較高(gao),。
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本(ben)技術揭示的在(zai)化學機械拋(pao)光工(gong)藝中確(que)定研(yan)(yan)磨(mo)時間(jian)的方(fang)法093半導體硅(gui)晶片水基研(yan)(yan)磨(mo)液053安全閥門研(yan)(yan)磨(mo)機044031氣力分(fen)級分(fen)離的粉碎或研(yan)(yan)磨(mo)工(gong)藝流(liu)程039一種高。
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2013年3月22日(ri)-化(hua)(hua)學(xue)機械拋(pao)光(guang)過程使用安(an)裝在剛性(xing)拋(pao)光(guang)平盤上的(de)柔(rou)性(xing)拋(pao)光(guang)墊(dian),硅片被壓在拋(pao)光(guang)目前常用的(de)拋(pao)光(guang)方法有(you)以下幾種氧化(hua)(hua)鋅材料的(de)切(qie)割、研(yan)磨、拋(pao)光(guang)工藝(研(yan)磨膏。
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本發(fa)明(ming)公開了一種(zhong)化(hua)(hua)學(xue)機械研磨工藝(yi)(yi)的優化(hua)(hua)方法(fa),該方法(fa)包括:A、提供一實驗樣品(pin),并按(an)照當前(qian)的化(hua)(hua)學(xue)機械研磨CMP工藝(yi)(yi)參數(shu)對(dui)實驗樣品(pin)進行CMP工藝(yi)(yi)后,采用等離子(zi)體增強化(hua)(hua)學(xue)氣相。
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東(dong)莞市(shi)百(bai)特(te)(te)研磨(mo)材料有限(xian)公司是一家專(zhuan)業供應各(ge)種金剛(gang)砂(sha)磨(mo)料:棕剛(gang)玉砂(sha),白剛(gang)玉砂(sha),百(bai)特(te)(te)本司擁有專(zhuan)業技術人員采用美國諾(nuo)頓(dun)工(gong)藝(yi)設備流程,生產(chan)(chan)出的(de)產(chan)(chan)品質量穩定、品質。
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