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2013年8月17日-一(yi)種(zhong)(zhong)自平衡(heng)沖(chong)擊(ji)(ji)(ji)多(duo)晶硅(gui)破(po)碎(sui)裝(zhuang)置,摘要:一(yi)種(zhong)(zhong)自平衡(heng)沖(chong)擊(ji)(ji)(ji)多(duo)晶硅(gui)破(po)碎(sui)裝(zhuang)置,涉及(ji)一(yi)種(zhong)(zhong)多(duo)晶硅(gui)料破(po)碎(sui)設備,主要由機(ji)(ji)架、氣(qi)動沖(chong)擊(ji)(ji)(ji)機(ji)(ji)構和緩沖(chong)機(ji)(ji)構組成,氣(qi)動沖(chong)擊(ji)(ji)(ji)機(ji)(ji)構通過。

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2012年1月27日-學(xue)士學(xue)位論文1引言(yan)多晶硅是(shi)半導體工業、電子從還(huan)原爐成形(xing)完成后的硅棒首(shou)先(xian)要進(jin)行(xing)破碎,目前0低(di)速級輸出軸所需有效功率(lv)傳動裝置(zhi)的總效率(lv)。

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多(duo)晶(jing)硅(gui)沖(chong)擊破碎錘(chui)(chui)頭(tou)錘(chui)(chui)桿摘要:太陽能級(ji)多(duo)晶(jing)硅(gui)純度為"6個(ge)9",該裝置采(cai)用(yong)錘(chui)(chui)式沖(chong)擊破碎,錘(chui)(chui)頭(tou)與硅(gui)棒接觸7楊維菊;美國太陽能熱利用(yong)考(kao)察及思考(kao)[。

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59-BG102058多(duo)晶(jing)硅棒(bang)60201120256530多(duo)晶(jing)硅破碎裝置61201120421115多(duo)晶(jing)硅還原157201120150251多(duo)晶(jing)硅鑄錠爐熱場158201120330419多(duo)晶(jing)硅尾(wei)氣噴(pen)淋塔159-BG。

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5硅烷(wan)熱分(fen)解制(zhi)備多(duo)晶(jing)(jing)硅191小(xiao)結193習題194參考文獻195光盤內容介(jie)紹目錄如下:保護裝置(zhi)43加工(gong)超大(da)直徑(jing)單晶(jing)(jing)硅圓棒與多(duo)晶(jing)(jing)硅鑄錠的數控帶鋸床44一種多(duo)晶(jing)(jing)硅破(po)碎。

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