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氮化硅粉末的制造方法及設備-89106804-錢眼

一種用四(si)氯化硅與液氨在有機溶劑界面反應生成(cheng)硅亞胺,然(ran)后將其加熱分(fen)解(jie)制得(de)氮(dan)化硅粉末(mo)的方法及設備,其特。

開發生產氮化硅及制品項目-中化新網

2009年(nian)9月24日-主要內容為:建(jian)設氮氣發生(sheng)(sheng)爐(lu),液氮儲送、物(wu)料(liao)混配等(deng)原料(liao)系統,購(gou)置安(an)裝(zhuang)氮化爐(lu)、納米研(yan)磨機、剛玉研(yan)磨機等(deng)氮化硅粉生(sheng)(sheng)產設備和燒(shao)結(jie)爐(lu)、煅燒(shao)爐(lu)、壓機、磨削。

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氮化硅陶瓷發動(dong)機(ji)生產_機(ji)械及(ji)行(xing)業設備,價格:180.00元(yuan)/公斤,是否提(ti)供(gong)加(jia)工定制:是,類型(xing):生產線,品(pin)牌:矽(xi)門,型(xing)號:P7,規格:200噸,用途(tu):飛機(ji)發動(dong)機(ji)制造,加(jia)工能(neng)力:年(nian)。

氮化硅晶須生產工藝及市場研究報告(碩詢化工網)-文化教育-道

2第(di)三(san)節(jie)(jie):3第(di)四(si)節(jie)(jie):4第(di)四(si)章:氮(dan)化(hua)硅(gui)晶(jing)(jing)須主要生產(chan)(chan)工藝(yi)詳述(shu)節(jie)(jie):氮(dan)化(hua)硅(gui)晶(jing)(jing)須生產(chan)(chan)工藝(yi)流程圖節(jie)(jie):氮(dan)化(hua)硅(gui)晶(jing)(jing)須生產(chan)(chan)原(yuan)材料及設備1.生產(chan)(chan)。

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球(qiu)磨(mo)機(ji)是當代廣(guang)泛粉(fen)磨(mo)混合機(ji)械,在(zai)較高效(xiao)率階段,物料(liao)細度達(da)(da)40-60UM,篩(shai)余量(liang)小于3%,在(zai)特殊情(qing)況(kuang)下,細度可達(da)(da)10UM以下.球(qiu)磨(mo)機(ji)是物料(liao)被破(po)碎之后,再進行粉(fen)碎的關鍵設備。

氮化硅軸承材料-《機械制造》1987年10期

氮化(hua)(hua)硅軸(zhou)承材料金剛石幾(ji)何(he)形(xing)狀(zhuang)精加工成(cheng)本毛(mao)坯諾頓接近于費用推出一(yi)種氮化(hua)(hua)硅軸(zhou)承材料“Noralide”,用以制(zhi)成(cheng)軸(zhou)承,其成(cheng)本僅為NC-132材料軸(zhou)承的1/10;與。

一種制造高純度超細氮化硅的方法及設備

一種制造(zao)高純(chun)度(du)超細氮化(hua)硅(gui)的(de)方(fang)法及設備,其特征(zheng)是(shi)硅(gui)烷和氨氣的(de)氣相化(hua)學反應是(shi)在立式(shi)雙(shuang)溫區流態反應器(qi)(qi)3中進行(xing),該反應器(qi)(qi)流態床底部設有不(bu)銹鋼制造(zao)的(de)分配板31,載(zai)體。

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廣東深圳供(gong)(gong)貨商,百家專業(ye)技(ji)術(shu)配方資料供(gong)(gong)應氮(dan)化硅(gui)生產技(ji)術(shu)配方資料光盤擁(yong)有大量(liang)供(gong)(gong)應系列產品,提供(gong)(gong)價格查詢(xun)、批發等業(ye)務,歡(huan)迎來電洽(qia)談..(該信息來自一呼百應。

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~3MPa,并(bing)在(zai)900℃~1850℃之間(jian)進行(xing)連續或(huo)間(jian)斷燃燒合成,燃燒合成后的氮(dan)化硅或(huo)氮(dan)化硅鐵經(jing)自然冷卻或(huo)強制冷卻后,呈塊狀的成品,再經(jing)球磨機、振動磨機或(huo)其它磨碎設備(bei)制成。

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名稱(cheng):供應(ying)氮化硅陶瓷生(sheng)產設備(bei)1、耐(nai)(nai)高(gao)溫(wen)耐(nai)(nai)磨(mo)耐(nai)(nai)腐(fu)(fu)蝕2、加工精度±0.01mm3、可替代進口陶瓷件(jian)4、耐(nai)(nai)磨(mo)耐(nai)(nai)腐(fu)(fu)蝕性是硬(ying)質合金件(jian)的4-5倍5、低(di)成本(ben)生(sheng)產的。

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顆粒污染氮(dan)化硅爐管維護周(zhou)期(qi)Idlepurge高倍度電子(zi)掃描設備SEM,KLA的缺陷分析設備SP1等,找(zhao)到了(le)1.2.4LPCVD氮(dan)化硅爐管生產工藝中的顆粒污染介(jie)紹17-。

LPCVD氮化硅爐管生產工藝中顆粒污染的研究-《上海交通大學》2009

[圖文(wen)]摘要(yao):摘要(yao):研究了等離子增(zeng)強(qiang)化學氣相淀積(PECVD)工藝中射頻條件(jian)(功率和頻率)對(dui)氮化硅(gui)薄膜(mo)應力的影響。對(dui)于(yu)不同(tong)射頻條件(jian)下薄膜(mo)的測(ce)試結果表明:低(di)頻(LF)時氮化硅(gui)薄膜(mo)。

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公司(si)主要生(sheng)產氮化(hua)硅結(jie)合碳化(hua)硅材料(liao)(liao)和高鉻耐火材料(liao)(liao),現有4.5和6立方等氮化(hua)窯(yao)12座,10米長(chang)的(de)干烘(hong)窯(yao)8座,200立方制(zhi)氮設備2套,振動(dong)壓(ya)機3臺(tai),已通過(guo)工商(shang)注冊。

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25氮(dan)化硅(gui)粉末(mo)(mo)的制(zhi)造(zao)方(fang)法26氮(dan)化硅(gui)粉末(mo)(mo)的制(zhi)造(zao)方(fang)法及(ji)(ji)設備27氮(dan)化硅(gui)粉體α相轉相裝置28氮(dan)化硅(gui)工(gong)程陶(tao)瓷(ci)燒結(jie)新工(gong)藝29氮(dan)化硅(gui)和碳化硅(gui)一(yi)維納米結(jie)構及(ji)(ji)其制(zhi)備方(fang)法。

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在亞微米的(de)生產制(zhi)造技(ji)術中,氮(dan)化硅工(gong)藝的(de)particle已經成(cheng)為(wei)產品良率的(de)主要影響因素。本(ben)文主要針(zhen)對立式(shi)LPCVD氮(dan)。

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等離(li)(li)子體化(hua)學氣(qi)相(xiang)沉積氮化(hua)硅(gui)薄膜生產設(she)(she)備2套(tao)包括高(gao)(gao)真空(kong)(kong)獲(huo)取和(he)控制設(she)(she)備、自動控制設(she)(she)備、高(gao)(gao)純反應(ying)氣(qi)體控制及CVD等離(li)(li)子體發(fa)生設(she)(she)備、真空(kong)(kong)加熱設(she)(she)備、設(she)(she)備與人員安全檢測。

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專業生(sheng)產(chan)氮化硅(gui)粉碎分(fen)級設備,青(qing)島(dao)即墨(mo)市超微(wei)粉碎機廠位于(yu)美(mei)麗的(de)海濱城市--青(qing)島(dao)北(bei)郊古城即墨(mo),市鰲藍(lan)路東端距(ju)流(liu)亭機場10公里(li)距(ju)青(qing)島(dao)火車站(zhan)40公里(li)、距(ju)藍(lan)村火車站(zhan)20。

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43、等(deng)離子體化學氣(qi)相法(fa)制(zhi)備(bei)高(gao)α相氮(dan)(dan)化硅(gui)(gui)粉體的(de)工藝44、氮(dan)(dan)化硅(gui)(gui)只讀存儲器及(ji)其制(zhi)造方法(fa)45、低壓燃燒合(he)成氮(dan)(dan)化硅(gui)(gui)或氮(dan)(dan)化硅(gui)(gui)鐵的(de)方法(fa)及(ji)設(she)備(bei)46、提(ti)高(gao)硼硅(gui)(gui)玻璃(li)膜及(ji)氮(dan)(dan)化硅(gui)(gui)膜。

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本發(fa)(fa)明屬于燃燒(shao)合成(cheng)氮(dan)化物的生(sheng)產(chan)方法,主要(yao)適用于β-氮(dan)化硅的燃燒(shao)合成(cheng)。本發(fa)(fa)明采(cai)用燃燒(shao)合成(cheng)工藝或自蔓延高溫合成(cheng)工藝制備氮(dan)化硅粉(fen)末(mo)。本發(fa)(fa)明的技術特點是把工業原料硅粉(fen)。

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上(shang)海百(bai)寅機(ji)械制造有限公(gong)司(原名:上(shang)海寶航冶金設備制造有限公(gong)司)引(yin)進(jin)國內(nei)的(de)生產納(na)米氮(dan)化(hua)硅基(ji)地技術與設備。是專業生產氮(dan)化(hua)硅粉的(de)企業。公(gong)司是以引(yin)進(jin)先進(jin)技術為。

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