金屬氧化物及碳化硅避雷器對陡波頭長波電流脈沖的響應-《電瓷
金屬(shu)氧化(hua)物碳化(hua)硅(gui)避雷器電(dian)力電(dian)纜電(dian)壓響應過沖(chong)保護性能殘壓測試回路相近(jin)似(si)電(dian)流脈沖(chong)。
脈沖激光退火納米碳化硅的光致發光-豆丁網
2005脈沖激光(guang)退(tui)火納米(mi)碳(tan)化(hua)硅的(de)光(guang)致發光(guang)于威,何(he)杰(jie),孫運(yun)濤,韓理,在電流激發方面存在較大困難,因此對碳(tan)化(hua)硅發光(guang)材料的(de)制備(bei)及(ji)發光(guang)特性進行(xing)分析對。
脈沖電沉積納米鎳一碳化硅復合鍍層的性能_百度文庫
河北(bei)大學碩士學位論文納米碳化硅的脈沖激光燒蝕沉積及(ji)其光學特性研究姓名:孫運濤(tao)(JFET,可達到電(dian)流水平400mA/mm,電(dian)導的指標lOOmS/mm)以(yi)及(ji)用6H—SiC制作的金屬。
納米碳化硅的脈沖激光燒蝕沉積及其光學特性研究-碩士論文-道
2008年5月9日-1998年已有頻率(lv)1.3GHz,脈(mo)沖輸出功(gong)(gong)率(lv)400W的報道[;。2.2碳化硅功(gong)(gong)率(lv)雙極與碳化硅功(gong)(gong)率(lv)MOS相比,對3000V以上的阻斷電(dian)壓,其通態電(dian)流密度可以高出幾個(ge)。
碳化硅電力電子器件研發進展與存在問題
[圖文(wen)]2007年5月28日(ri)-從而具(ju)有(you)非常高的(de)浪涌電流承受能(neng)力和穩定的(de)過(guo)壓(ya)中的(de)PFC級應用在瞬(shun)時脈(mo)沖和過(guo)壓(ya)狀態下具(ju)有(you)更高利用具(ju)有(you)獨(du)特性(xing)能(neng)的(de)碳化(hua)硅作(zuo)為(wei)器件材料,能(neng)制造出。
適合各種電源應用的碳化硅肖特基二極管-應用-電子工程世界網
高(gao)頻脈沖(chong)電(dian)鍍Ni-Co-SiC耐(nai)蝕(shi)性耐(nai)磨性陽極(ji)極(ji)化結構(gou)研(yan)究了電(dian)源頻率(lv)、占空比、陰極(ji)電(dian)流(liu)密(mi)度及(ji)鍍液中(zhong)鈷(gu)1袁逖;高(gao)頻脈沖(chong)電(dian)沉(chen)積(ji)鎳鈷(gu)碳(tan)化硅(gui)鍍層耐(nai)蝕(shi)性耐(nai)磨。
高頻脈沖電沉積鎳鈷碳化硅鍍層耐蝕性耐磨性的研究-《北京交通
正(zheng)采(cai)用60m長的138kV電力電纜產(chan)生的幾(ji)十萬伏(fu)、2萬安(an)以上的電流(liu)、波頭時間約50ns的脈(mo)沖。被試品為9kV金屬氧化物及碳化硅避雷器(qi)。避雷器(qi)的電壓響應包括陡(dou)的過沖電壓。
碳化硅避雷器-學術百科-知網空間
2013年(nian)1月30日-美國陸(lu)軍研(yan)究人員(yuan)正在向行業尋(xun)求開(kai)發進的碳化(hua)硅(gui)(SiC)半(ban)導體功(gong)率電(dian)子技術(shu)種高(gao)等級配置的高(gao)壓(ya)開(kai)關,脈(mo)沖電(dian)壓(ya)15000V,小電(dian)壓(ya)10000V,電(dian)流峰值30A,。
美國陸軍尋求下一代碳化硅軍用高壓開關設備-中新網
采用XeCl準分子脈沖激光(guang)退火技(ji)術制備了(le)納(na)(na)米晶態碳化硅薄膜(nc—SiC),并(bing)對薄膜的光(guang)致(zhi)發光(guang)(PL)特性(xing)進行了(le)分析。結果表明,納(na)(na)米SiC薄膜的光(guang)致(zhi)發光(guang)表現為300-600nm.范圍(wei)。
脈沖激光退火納米碳化硅的光致發光
[圖(tu)文(wen)]V為驅(qu)動脈沖(chong)(chong)電(dian)壓,驅(qu)動電(dian)流(liu)為脈沖(chong)(chong)電(dian)流(liu).V為驅(qu)動脈沖(chong)(chong)電(dian)壓,驅(qu)動電(dian)流(liu)為脈沖(chong)(chong)電(dian)流(liu).收藏此頁推薦給好友(you)09-23[技術(shu)資(zi)訊]碳化硅在(zai)高(gao)溫(wen)范圍(wei)內具有低(di)開關(guan)損耗(hao)的MOSFE。
紅外發光二極管的直流脈沖電流驅動_電路圖-華強電子網
[圖文]這(zhe)種(zhong)改進(jin)的過壓和浪涌電流能(neng)力可以(yi)使(shi)二(er)極管(guan)的壓力減小,使(shi)應(ying)用(yong)具有更高的可靠性(xing)(xing)。SiC肖特基(ji)二(er)極管(guan)——適(shi)合各(ge)種(zhong)供(gong)電條件的解(jie)決方案利用(yong)具有獨特性(xing)(xing)能(neng)的碳(tan)化硅(gui)作為器件。
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論(lun)文天下提(ti)供的(de)<高頻脈沖電沉積鎳鈷碳(tan)化硅鍍層耐(nai)蝕性(xing)耐(nai)磨性(xing)的(de)研究;論(lun)文包括高頻脈沖電鍍Ni-Co-SiC耐(nai)蝕性(xing)耐(nai)磨性(xing)陽極極化結(jie)構等其他相關(guan)內容論(lun)文。
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諸暨市特(te)(te)耐工(gong)程陶瓷(ci)有(you)限公(gong)司碳化(hua)硅脈沖類型(xing):脫硫除(chu)塵(chen)器(qi)林格(ge)曼黑(hei)度(du):3級品牌:帕特(te)(te)納型(xing)號:碳化(hua)硅噴(pen)嘴脫硫率:97(%)除(chu)塵(chen)率:96(%)阻力損失:-(Pa),環球貿易網為您提供。
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2010年8月17日-0405SC-2200M碳化硅晶體(ti)管(guan),射頻峰值(zhi)功率(lv)達(da)2200瓦,可用于大功率(lv)超高頻脈沖系統的另一些優點包括簡(jian)化阻抗匹配(pei),125伏的操縱電壓,低電導電流,高峰值(zhi)。
碳化硅脈沖
溫度脈(mo)沖方(fang)法制備(bei)碳(tan)/碳(tan)化(hua)硅復合材料界面的微觀結構(gou)與性能研究袁明(ming)(ming),黃(huang)政仁,董紹明(ming)(ming),朱(zhu)云洲,江(jiang)東亮中國科學(xue)院上海硅酸鹽研究所,上海200050。
Microsemi公司推出用于大功率超高頻脈沖雷達的碳化硅晶體管_兵器
河(he)北大學碩(shuo)士(shi)學位論文納米碳化硅(gui)的脈沖激光燒蝕沉積及(ji)其光學特性研究姓(xing)名(ming):孫運濤申請學位級別:碩(shuo)士(shi)專業(ye):光學指(zhi)導教師:于(yu)威20030101摘要(yao)本(ben)工作采用(yong)脈沖激光。
溫度脈沖方法制備碳/碳化硅復合材料界面的微觀結構與性能研究
2013年1月30日-美國陸軍研(yan)究人員正(zheng)在向行業尋求開(kai)發進(jin)的(de)碳化(hua)硅(SiC)半導體功率電子技術種高等級配(pei)置的(de)高壓(ya)開(kai)關,脈沖電壓(ya)15000V,小電壓(ya)10000V,電流峰值30A,。
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[圖文]從而具有(you)非常高的(de)浪涌電流承受能力和穩定的(de)過壓(ya)特(te)性。網中(zhong)的(de)PFC級(ji)應(ying)用在瞬時(shi)脈沖和過壓(ya)狀態下具有(you)更高的(de)利用具有(you)獨(du)特(te)性能的(de)碳(tan)化硅(gui)作為器件材料(liao),能制造出接近。
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通過激(ji)光(guang)脈沖(chong)波形(xing)與(yu)光(guang)電流脈沖(chong)波形(xing)的比較,估算出(chu)2種光(guang)導(dao)開關的載流子(zi)壽命和載流子(zi)的基礎(chu)上(shang)改進(jin)設計,研制出(chu)了工(gong)作電壓(ya)超過10kV、工(gong)作電流超過90A的碳(tan)化硅(gui)光(guang)導(dao)。
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2008年9月26日-這些(xie)測(ce)試包括(kuo)使用(yong)1祍脈沖,開(kai)關(guan)時間比為1000,在(zai)“開(kai)”狀態驅動電流是100本文鏈接:碳化(hua)硅電子:全球(qiu)協會提倡SiC高頻PI:/news。
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[圖文]GaN器件包(bao)含五項重要特征:高(gao)(gao)介電強度(du)、高(gao)(gao)工作溫度(du)、大電流密度(du)、高(gao)(gao)開關速度(du),如何(he)在高(gao)(gao)效脈沖跳頻模式(shi)下選擇(ze)輸出濾波(1)智(zhi)能電視前進路上的三座。
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1200V增強(qiang)型碳化硅縱向(xiang)結型場效應晶體管功率模塊《電力電子》2011年(nian)第(di)4期開(kai)關測試(shi)采用了標準的雙脈沖感性負載(zai)電路(lu),在600V、100A、溫度分別為25℃和150。
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[圖文]2012年4月16日-既能(neng)滿足電(dian)子模塊的正(zheng)常工作電(dian)流(liu)(圖1中的If),也能(neng)承受ISO7637-2脈沖[新品(pin)快訊]美(mei)高森美(mei)推出(chu)碳化硅(SiC)材料和技術的全新1200V肖特基二極管。
碳化硅超細磨|碳化硅專用磨|碳化硅微粉磨|脈沖除塵器-金屬硅磨粉_
[圖文]標簽(qian):600509石墨烯碳(tan)化硅背景資料老孟(meng)股票具有(you)電(dian)荷(he)這(zhe)種性質,電(dian)荷(he)的傳導能夠形成電(dian)流并成為(wei)電(dian)子采用脈沖電(dian)子輻照技術在SiC基(ji)底上(shang)外延石墨烯是我們。
綠碳化硅脈沖除塵器工作原理,脈沖除塵器發展適生_鄭州嵩陽
二(er):電(dian)流互感器(qi)保(bao)(bao)護用于保(bao)(bao)護電(dian)流互感器(qi)即CTPU.典型應(ying)用于互感器(qi)二(er)次過壓(ya)保(bao)(bao)護,此類(lei)電(dian)阻片的靈活性(xing)使其得到廣范(fan)應(ying)用,可(ke)用于熒光(guang)燈的尖峰脈沖抑(yi)制(直(zhi)徑(jing)為26mm的。
ISO7637-2脈沖3b-根據雪崩性能選擇肖特基二極管-電子發燒友網
(3)從損壞的避雷器(qi)閥片來(lai)看,這些避雷器(qi)的閥片所用(yong)的碳化(hua)硅比較松散,多半是這根(gen)電線(xian)有脈沖電流渡過,這時,測定在配電線(xian)路的導體上感應的電壓波(bo)形。相應的。
600509:石墨烯碳化硅項目的背景資料_孟利寧_新浪博客
2013年8月21日-尤其(qi)是碳化硅(gui)微粉磨的(de)生產加工(gong)中,粉塵外泄問題(ti)為嚴重,上(shang)海卓亞(ya)礦山(shan)機械有限(xian)公司(si)研(yan)究者為其(qi)進行相(xiang)應的(de)分(fen)析(xi)與設(she)備的(de)改造實(shi)驗,終得(de)出使用脈沖除塵器的(de)。
M&I碳化硅非線性放電電阻_電子元器件_電阻器_壓敏電阻器_產品庫_
[圖文(wen)]2011年8月(yue)4日-現在還有許多公司(si)在用不(bu)同的基(ji)底(如(ru)藍寶石和(he)碳(tan)化硅)生產(chan)GaNLED,這些LED該電路的基(ji)本功(gong)能是產(chan)生低頻、快速(su)、大功(gong)率驅動電流脈沖信號,輸(shu)出脈沖的。
什么是工頻電流?工頻是什么意思?_工程_技術_科技_機械_天涯問答
2013年(nian)7月22日-1998年(nian)已有頻率1.3GHz,脈(mo)沖輸出功率400W的報(bao)道[;。2.2碳化(hua)硅功率雙極開發碳化(hua)硅BJT的主要問題是提高電(dian)流(liu)增(zeng)益。早期6H-SiCBJT的電(dian)流(liu)增(zeng)益只有10。
碳化硅微粉磨應用脈沖除塵器凈化環境效果好
脈沖袋式除塵器,分號機,粉(fen)碎(sui)機,氣流磨,青島精華PZ粉(fen)碎(sui)機的(de)用途(tu)及適(shi)應范圍:化(hua)工等(deng)物科(ke)(ke)的(de)粉(fen)碎(sui),尤其(qi)適(shi)用于(yu)碳化(hua)硅(gui)、剛玉、石英、烙煉石英、石餾石等(deng)物科(ke)(ke)的(de)粉(fen)碎(sui)。
詳解大功率藍光LED光源驅動電路設計方案-中國LED網資訊
碳化硅顆粒(li)化學鍍鎳對鐵基復(fu)合(he)(he)材料性(xing)能的影響張躍(yue)波(bo)1,宗(zong)亞平1,曹新建1,張龍21.東北大學材料各向(xiang)異(yi)性(xing)與(yu)織構教育部實驗室沈陽1108192.金策工業綜合(he)(he)。