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氮化硅的生產方(fang)法(fa)劉(liu)佩珠(zhu)摘要:正本介紹的Si_3N_4的生產方(fang)法(fa)如下(xia):采用固體(ti)二硫化硅與氣態氨反應,溫度(du)控(kong)制在800~1450℃,回收無定形Si_3N_4。。

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[圖文]摘要:摘要:研(yan)究了等離子(zi)增(zeng)強化(hua)(hua)學氣相淀積(PECVD)工(gong)藝中射頻(pin)條(tiao)件(功(gong)率和頻(pin)率)對氮化(hua)(hua)硅薄(bo)(bo)膜(mo)應(ying)力的(de)影(ying)響。對于(yu)不(bu)同射頻(pin)條(tiao)件下薄(bo)(bo)膜(mo)的(de)測試結果表明(ming):低(di)頻(pin)(LF)時氮化(hua)(hua)硅。

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河(he)南(nan)科技大(da)學畢(bi)業設計(論文(wen))I噴涂工藝(yi)對氮化硅涂層品質的影響摘要鑄造(zao)因此(ci)容易(yi)在制(zhi)造(zao)工藝(yi)中受石英、石墨(mo)、設備(bei)以及管(guan)道(dao)等的沾(zhan)污(wu)。坩堝的使用(yong)一方面提高。

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技術難(nan)題:1.生產氮化硅錳從技術上采(cai)用(yong)普通(tong)硅錳和(he)普通(tong)硅鐵作為(wei)原料,工藝上采(cai)用(yong)物料5.所用(yong)的臥(wo)式推板窯等加熱設備(bei)利用(yong)電(dian)感應(ying)加熱方(fang)式,在微正(zheng)壓(ya)下工作,省去了真空(kong)。

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