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一種(zhong)用四氯化硅與液(ye)氨在有機(ji)溶(rong)劑界(jie)面反應生成硅亞胺,然后(hou)將其加(jia)熱分解制(zhi)得氮化硅粉末的方法及(ji)設備,其特(te)。
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氮化硅的生產工藝|氮化硅制備加工技術
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101136305納米級氮(dan)(dan)化硅(gui)復合(he)材料發(fa)(fa)熱體(ti)及(ji)(ji)制作工藝(yi)[摘要]本(ben)發(fa)(fa)明(ming)是對氮(dan)(dan)化硅(gui)發(fa)(fa)熱$902158760低(di)壓燃(ran)燒(shao)合(he)成(cheng)氮(dan)(dan)化硅(gui)或氮(dan)(dan)化硅(gui)鐵的方(fang)法及(ji)(ji)設備[摘要]低(di)壓燃(ran)燒(shao)合(he)成(cheng)。
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[圖文]李維菊(個(ge)人商戶)供(gong)應氮(dan)化(hua)硅及(ji)其制品(pin)生產工藝(yi)技術資料大(da)、氮(dan)化(hua)硅及(ji)其制品(pin)生產工藝(yi)技術資料大(da)。氮(dan)化(hua)硅及(ji)其制品(pin)生產工藝(yi)技術資料大(da)全1一種形成雙應力層氮(dan)化(hua)硅薄(bo)膜的(de)方(fang)法(fa)。
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22.氮(dan)(dan)化硅(gui)發(fa)熱體及(ji)(ji)其制(zhi)造方法(fa)23.氮(dan)(dan)化硅(gui)發(fa)熱裝置24.氮(dan)(dan)化硅(gui)粉.其燒結(jie)體.基板.及(ji)(ji)由(you)此的(de)電路板和(he)熱電元件模塊(kuai)25.氮(dan)(dan)化硅(gui)粉末(mo)(mo)的(de)制(zhi)造方法(fa)26.氮(dan)(dan)化硅(gui)粉末(mo)(mo)的(de)制(zhi)造方法(fa)及(ji)(ji)設備。
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2第三節:3第四(si)節:4第四(si)章:氮化(hua)硅(gui)晶須(xu)主(zhu)要生(sheng)產(chan)工(gong)藝(yi)詳述節:氮化(hua)硅(gui)晶須(xu)生(sheng)產(chan)工(gong)藝(yi)流(liu)程圖節:氮化(hua)硅(gui)晶須(xu)生(sheng)產(chan)原材(cai)料及(ji)設(she)備1.生(sheng)產(chan)。
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一種制造高純度超細氮化硅的方(fang)法及(ji)設(she)備,其特征(zheng)是硅烷和氨氣的氣相化學反應是在立式雙溫區(qu)流(liu)態(tai)反應器(qi)(qi)3中進行,該反應器(qi)(qi)流(liu)態(tai)床(chuang)底(di)部設(she)有不銹鋼制造的分配板31,載體(ti)。
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[圖文]25、氮(dan)化(hua)硅(gui)(gui)粉(fen)末的(de)制(zhi)造方法26、氮(dan)化(hua)硅(gui)(gui)粉(fen)末的(de)制(zhi)造方法及設備(bei)27、氮(dan)化(hua)硅(gui)(gui)粉(fen)體α相(xiang)(xiang)轉相(xiang)(xiang)裝置(zhi)28、氮(dan)化(hua)硅(gui)(gui)工(gong)程陶瓷燒(shao)結新工(gong)藝29、氮(dan)化(hua)硅(gui)(gui)和碳化(hua)硅(gui)(gui)一維(wei)納米結構(gou)及其制(zhi)備(bei)方法30。
氮化硅的生產方法-《無機鹽工業》1987年03期
氮化硅(gui)(gui)的(de)生產方法(fa)劉(liu)佩珠摘要:正(zheng)本(ben)介紹的(de)Si_3N_4的(de)生產方法(fa)如(ru)下:采用固體二硫化硅(gui)(gui)與氣態(tai)氨反應,溫度控制在800～1450℃,回收無定形(xing)Si_3N_4。。
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在亞微(wei)米的生產制(zhi)造(zao)技術(shu)中,氮(dan)化硅工藝(yi)的particle已經成為產品良(liang)率的主(zhu)要影響因素。本文(wen)主(zhu)要針(zhen)對立式LPCVD氮(dan)。
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經營模式:生(sheng)產(chan)加工聯(lian)系(xi)人:童(tong)國松電(dian)話:0571-86603302傳真:0571-8660330654、一(yi)種造粒燃燒合成氮(dan)(dan)化硅(gui)的生(sheng)產(chan)方法(fa)55、氮(dan)(dan)化硅(gui)粉末的制造方法(fa)及設備(bei)56。
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2012年9月19日-2CN02100873.6一種制造電池(chi)的燒(shao)結(jie)鎘負極的方法及其制造產品(pin)3CN70CN86100384氮(dan)化硅工程陶瓷燒(shao)結(jie)新(xin)工藝71CN86106840熱窯燒(shao)結(jie)設(she)備與。
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[圖文]摘要:摘要:研究了等(deng)離子增強化(hua)學氣相淀積(ji)(PECVD)工藝(yi)中射頻條(tiao)件(功率和(he)頻率)對(dui)氮(dan)化(hua)硅薄膜應(ying)力的(de)影響。對(dui)于(yu)不同射頻條(tiao)件下薄膜的(de)測試(shi)結果(guo)表明(ming):低(di)頻(LF)時氮(dan)化(hua)硅。
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氮(dan)化(hua)硅(gui)收集(ji)平臺,涉(she)及多晶硅(gui)生產設備(bei)領域(yu),尤(you)其是(shi)涉(she)及多晶硅(gui)生產中(zhong)(zhong)氮(dan)化(hua)硅(gui)的收集(ji)臺,一種移除氮(dan)化(hua)硅(gui)層的方(fang)(fang)法,此(ci)方(fang)(fang)法系首先提供一晶圓,其中(zhong)(zhong)晶圓上已形成有一氮(dan)化(hua)硅(gui)層。
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7-BG520氮化硅只讀存儲器的(de)結構與制造(zao)方(fang)法(fa)8-BG520低壓燃燒合成氮化硅或氮化硅鐵的(de)方(fang)法(fa)及設備(bei)9-BG520利用原子(zi)層沉(chen)積法(fa)形成氮化硅間隙壁的(de)方(fang)法(fa)10-BG520密封。
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[圖文]本文主要(yao)針對立式LPCVD氮化硅(gui)爐(lu)管的氮化硅(gui)制造工藝中所遇到(dao)particle問題進行(xing)研(yan)究。通過(guo)大量(liang)的對比(bi)性實(shi)驗進行(xing)排(pai)查與分(fen)析,并利用各種先進的實(shi)驗的設備和器材(cai)找(zhao)到(dao)產(chan)生。
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第四節主(zhu)要(yao)生(sheng)(sheng)產設備情況介紹第四章2011-2013年中國碳化(hua)(hua)硅(gui)(gui)(gui)結合(he)氮(dan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)(gui)磚市(shi)場(chang)圖表:碳化(hua)(hua)硅(gui)(gui)(gui)結合(he)氮(dan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)(gui)磚理化(hua)(hua)性質(zhi)一覽圖圖表:碳化(hua)(hua)硅(gui)(gui)(gui)結合(he)氮(dan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)(gui)磚生(sheng)(sheng)產工藝流程(cheng)。
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河(he)南科技(ji)大學畢業(ye)設(she)計(ji)(論文)I噴(pen)涂工(gong)藝對氮化硅涂層(ceng)品質的(de)(de)(de)影響(xiang)摘要鑄造因(yin)此容易(yi)在制造工(gong)藝中(zhong)受(shou)石英、石墨、設(she)備以及管道(dao)等的(de)(de)(de)沾污。坩堝(guo)的(de)(de)(de)使(shi)用一方面提(ti)高。
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通(tong)過幾(ji)年不(bu)斷技術創新,工(gong)藝(yi)優化,積累了豐富(fu)的氮化合(he)金(jin)生(sheng)(sheng)產(chan)(chan)經驗。公司(si)擁有(you)三個生(sheng)(sheng)產(chan)(chan)車間,十(shi)幾(ji)臺國內先(xian)進的氮化物產(chan)(chan)品生(sheng)(sheng)產(chan)(chan)設備,建立了完發聯系信(xin)合(he)肥開爾納米。
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本廠(chang)以“業潤社(she)會”為經營理念,憑著國內的(de)生產設備,全體員工努力進取,銳意采用先進的(de)氣壓、熱(re)等(deng)靜壓燒結工藝(yi),批量(liang)生產氮(dan)化硅(Si3N4)、氧化鋯(gao)(ZrO2)。
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技術難題:1.生產氮化硅錳從技術上采(cai)用普通(tong)硅錳和普通(tong)硅鐵作為原料(liao),工藝上采(cai)用物料(liao)5.所用的臥(wo)式推板窯等(deng)加(jia)熱設備利用電感應加(jia)熱方(fang)式,在微正(zheng)壓下工作,省(sheng)去(qu)了真空。
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公司簡介北京(jing)金(jin)海虹氮化(hua)硅(gui)有限公司是高新技(ji)術(shu)企業,開(kai)發(fa)、生產高技(ji)術(shu)氮化(hua)硅(gui)結合先進的生產設備,獨特的生產工藝(yi),完善的檢測手段(duan),科(ke)學的管理體系,2005年5月獲得。
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北京金(jin)海(hai)虹(hong)氮(dan)化硅(gui)(gui)有(you)限公(gong)司(si)簡介北京金(jin)海(hai)虹(hong)氮(dan)化硅(gui)(gui)有(you)限公(gong)司(si)自主研發、生產高科技材(cai)料(liao)‘氮(dan)化硅(gui)(gui)結合碳化硅(gui)(gui)制品’,以獨(du)特(te)的制造工(gong)藝于國內外同行(xing)業水平(ping),為有(you)色(se)金(jin)屬行(xing)業。
北京金海虹氮化硅有限公司公司介紹-007商務站-全球網上貿易平臺
高(gao)純氮化硅粉(fen)體(用于晶硅生(sheng)產坩堝噴涂粉(fen)末)使(shi)用方法發布日期:2011-11-01分離(li)設備物性測試(shi)儀(yi)器生(sheng)命科(ke)學儀(yi)器實驗(yan)箱體/安全箱水質、水分檢測。
高性能氮化硅結構陶瓷-陶瓷生產加工機械|機械及行業設備–大豆
制(zhi)作燒結鋁礬土(tu)粉的(de)設(she)備《礬土(tu)技術分析鋁礬土(tu),均勻度,氮化硅(gui),反(fan)應催化劑,剛玉陶瓷,》43-BG192114一種(zhong)變(bian)截面隧道窯煅燒高鋁礬土(tu)的(de)方(fang)法44-BG192114礬土(tu)面礦(kuang)脫水。
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,經過多年的(de)研制、創新(xin),研發(fa)出全(quan)新(xin)的(de)陶(tao)(tao)(tao)瓷(ci)(ci)配方以(yi)及一體化(hua)高(gao)純(chun)氮化(hua)硅(gui)陶(tao)(tao)(tao)瓷(ci)(ci)生產工藝。高(gao)純(chun)氮化(hua)硅(gui)陶(tao)(tao)(tao)瓷(ci)(ci)熱(re)面發(fa)熱(re)體燃(ran)氣設備用(yong)熱(re)面發(fa)熱(re)體高(gao)純(chun)氮化(hua)硅(gui)陶(tao)(tao)(tao)瓷(ci)(ci)電熱(re)塞柴油。
高純氮化硅粉體(用于晶硅生產坩堝噴涂粉末)使用方法-阿凡達-全國
并提出了對(dui)比分析的(de)方(fang)法,在(zai)通過專業設備檢測(ce)的(de)基礎上對(dui)成品球(qiu)球(qiu)度(du)、表(biao)面(mian)(mian)粗(cu)(cu)糙度(du)研究結果表(biao)明(ming),氮化硅陶瓷球(qiu)能夠(gou)批量生產且球(qiu)度(du)達到(dao)(dao)0.062μm以下,表(biao)面(mian)(mian)粗(cu)(cu)糙度(du)達到(dao)(dao)。
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反(fan)應燒結(jie)工藝生產(chan)的氮化(hua)硅使(shi)用(yong)壽命(ming)很短,材料存在很多氣(qi)孔,長期鋁液會滲入;抗熱震(zhen)用(yong)于冶金、化(hua)工、紡織、印刷、包裝、食品(pin)機械、電爐設備、電力容器(qi)、變壓器(qi)等。
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氮(dan)化(hua)硅(gui)及其制品(pin)生產工(gong)藝配方技(ji)術資料舉報此商(shang)品(pin)商(shang)品(pin)主(zhu)圖收(shou)藏(zang)商(shang)品(pin)已有(you)058302158760.4低壓燃(ran)燒合成(cheng)氮(dan)化(hua)硅(gui)或氮(dan)化(hua)硅(gui)鐵(tie)的方法及設備58402158676.4。
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種更可靠的(de)(de)(de)半導體裝(zhuang)置(zhi)和(he)顯示裝(zhuang)置(zhi)的(de)(de)(de)高產量制造技術(shu)且未使用于制造的(de)(de)(de)設(she)備和(he)方法作為在有機(ji)化(hua)(hua)合物中所含(han)的(de)(de)(de)無(wu)機(ji)材(cai)料,可以使用氧化(hua)(hua)硅(gui)、氮(dan)化(hua)(hua)硅(gui)、氧氮(dan)化(hua)(hua)硅(gui)、氮(dan)。
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經(jing)營(ying)(ying)模式:生產廠(chang)家主營(ying)(ying)產品:氮化金屬粉末(mo)特種合(he)金焊條粉劑合(he)金粉工商公司運用(yong)自(zi)己的科研成果,采用(yong)先進的設(she)備和工藝技術進行各類高純硅(gui)精細化加(jia)。