MEMS射頻薄膜體聲波諧振器(FBAR)研究
在(zai)固態裝配型諧振(zhen)器(SMR)方面,論文采用上述模(mo)型分析了四(si)分之一波長布(bu)拉格反(fan)射(she)柵對(dui)其諧振(zhen)特性(xing)(xing)的(de)影(ying)響,得(de)到(dao)(dao)了SMR器件獲得(de)理想性(xing)(xing)能所需的(de)少反(fan)射(she)柵對(dui)數;另外(wai),考慮到(dao)(dao)實際。
石英晶體諧振器行業技術文章_慧聰網
壓電層的典型(xing)厚度在幾個微(wei)米或(huo)壓力(li)場看起來與(單晶的)石(shi)英模式的石(shi)英這種類型(xing)的BAW被稱為固態裝配(pei)諧(xie)振器(SMR)。魯棒性而言,,則可減少諧(xie)振器。
ZnO固態裝配型諧振器(SMR)的模擬分析-《中國聲學學會2007年青年
ZnO固態(tai)裝配型諧振(zhen)(zhen)器(qi)(SMR)的模擬分析湯亮郝震宏喬東(dong)海(hai)汪承灝摘要:正1引(yin)言近年來,薄膜體聲(sheng)波諧振(zhen)(zhen)器(qi)(FBAR)由于其(qi)較小(xiao)的體積(ji)以(yi)及可與IC電路(lu)進(jin)行(xing)單(dan)。
布喇格反射層對SMR性能影響的仿真分析_百度文庫
這樣(yang)形成(cheng)(cheng)的諧振器是固態裝配諧振器(SMR)。在一個實施例中,襯(chen)底12由(you)(you)硅(Si)制(zhi)成(cheng)(cheng),PZ層(ceng)18由(you)(you)氮(dan)化(hua)鋁(lv)(AlN)制(zhi)成(cheng)(cheng)。或(huo)者(zhe),也(ye)可以使用其(qi)他(ta)的壓電材料來制(zhi)作PZ層(ceng)18。在一。
CN1845453A-使用填充凹進區的聲諧振器的性能增強-Google
基于CMOS工藝的高性能射頻濾(lv)波(bo)器(qi):體聲波(bo)濾(lv)波(bo)器(qi)BAW第2頁/共6頁<上一頁下這種類(lei)型的BAW被稱為(wei)固態裝配諧振器(qi)(SMR)。魯棒性而(er)言,SMR比(bi)膜(mo)結(jie)構的BAW要好。
基于CMOS工藝的高性能射頻濾波器:體聲波濾波器BAW_中華文本庫
這種(zhong)類型的BAW被稱為(wei)固態裝(zhuang)配(pei)(pei)諧(xie)振器(SMR)。魯棒性而言,SMR比膜結構(gou)的BAW要好很多。在劃片和裝(zhuang)配(pei)(pei)所(suo)需的各種(zhong)標準工序(xu)中,沒有機械損壞(huai)的風險。壓電(dian)層(ceng)(ceng)和電(dian)極層(ceng)(ceng)上(shang)。
基于CMOS工藝的高性能射頻濾波器:體聲波濾波器(BAW)
和電極(ji)做成(cheng)膜(mo)結構或一(yi)并沉積到一(yi)個薄的支撐膜(mo)上,形(xing)成(cheng)空氣一(yi)固體交界面(mian);還有(you)一(yi)種方式是采用“聲(sheng)波鏡”形(xing)成(cheng)反射(she)面(mian)來實現,這種結構被(bei)稱為“固態裝配諧振(zhen)器(SMR)。
薄膜體聲波濾波器的材料設計及應用-豆丁網
鋯鈦(tai)酸鉛(qian)溶膠凝膠諧振(zhen)器(qi)建立(li)微型(xing)體聲(sheng)波諧振(zhen)器(qi)機械結(jie)構的(de)等(deng)效電路(lu)模型(xing),運用PSPICE軟件研究4湯亮;郝震(zhen)宏;喬東海;汪承灝(hao);;ZnO固態裝配型(xing)諧振(zhen)器(qi)(SMR)。
龍俞兆-技術總結-道客巴巴
[0003]壓電(dian)薄膜(mo)(mo)諧(xie)(xie)振(zhen)器(qi)可以分類為FBAR(膜(mo)(mo)體聲諧(xie)(xie)振(zhen)器(qi))型和SMR(固態(tai)裝配諧(xie)(xie)振(zhen)器(qi))型。[0003]thepiezoelectricthinfilmresonatorcanbeclassifiedasFBAR。
PZT薄膜材料的生長與應用-《廈門大學》2009年碩士論文
上述聲波器件(jian)的示例為諸如FBAR(膜(mo)體(ti)聲波諧振器)和SMR(SolidlyMoutedResonator:固態裝配諧振器)的薄膜(mo)諧振器。Examplesoftheacousticwavedevicesuchas。
CN101083460B-Filterhavingmultiplepiezoelectricthin-
聲諧振器(qi)(10;110;和210)包括少部分地補償(chang)通過電極壓電疊層(18)引(yin)入的溫度(du)感應效應的鐵磁補償(chang)器(qi)(20;120;和220)。該(gai)補償(chang)器(qi)具有(you)正頻率(lv)溫度(du)系數,而疊層具有(you)負。
BAW_百度文庫
包含這些壓電薄膜(mo)(mo)諧(xie)振(zhen)器(qi)的(de)濾波(bo)器(qi)也受到關注。[0003]壓電薄膜(mo)(mo)諧(xie)振(zhen)器(qi)的(de)例子(zi)包括FBAR(薄膜(mo)(mo)腔聲諧(xie)振(zhen)器(qi),FilmBulkAcousticResonator)型和SMR(固態裝配(pei)諧(xie)振(zhen)器(qi),Solidly。
CN101136620B-Acousticwavedevice,filterandduplexer
將上述壓電薄膜(mo)諧(xie)振器(qi)分為兩種(zhong)類型,FBAR(薄膜(mo)腔聲諧(xie)振器(qi))和SMR(固態裝(zhuang)配(pei)諧(xie)振器(qi))。FBAR包括層疊(die)(die)在諸(zhu)如硅或玻璃的基板上的上電極膜(mo)、壓電膜(mo)和下電極膜(mo)的層疊(die)(die)結構。
布喇格反射層對SMR性能影響的仿真分析SimulationAnalysisof
包(bao)含這些壓(ya)電(dian)(dian)薄(bo)膜(mo)諧振(zhen)(zhen)器的濾(lv)波器也受到關注。壓(ya)電(dian)(dian)薄(bo)膜(mo)諧振(zhen)(zhen)器的例子包(bao)括FBAR(薄(bo)膜(mo)腔(qiang)聲諧振(zhen)(zhen)器,FilmBulkAcousticResonator)型和SMR(固態裝配諧振(zhen)(zhen)器,SolidlyMounted。
CN1340915A-聲波諧振器及在溫度變化時運行其以保持諧振的
另外值得一提的(de)是,德國的(de)Infneon公(gong)司在2003年推出了具有布拉格反射(she)層結構的(de)固貼式(又稱(cheng)固態裝配型)薄膜體聲波諧振器(SMR-FBAR)[9-10].而(er)我國關于。
CN1862959B-壓電薄膜諧振器與濾波器-Google
0引言固(gu)態(tai)引信(xin)諧振器是電子安(an)全系統的重要組成部分之一(yi),它(ta)能在后坐加速度和旋轉離心力的作用下(xia)向前(qian)運(yun)動,使限位(wei)保險(xian)處于(yu)鎖定狀態(tai),從而使引信(xin)處于(yu)待發狀態(tai)。但是,。
CN1677852A-諧振器濾波器以及諧振器的制造-Google
毫米(mi)波平面(mian)振蕩(dang)器(qi)基(ji)片集成波導(dao)相位噪聲(sheng)雙端口壓(ya)控振蕩(dang)器(qi)注入鎖定諧波振蕩(dang)器(qi)毫米(mi)波平面(mian)振蕩(dang)器(qi)是毫米(mi)波平面(mian)集成系統(tong)ZnO固態裝配型諧振器(qi)(SMR)的模擬分析[。
CN1862959A-壓電薄膜諧振器與濾波器-Google
聲諧振(zhen)器(10;110;和210)包括少部分地補償通過電極壓電疊層(18)引入的(de)溫度(du)感(gan)應效應的(de)鐵(tie)磁補償器(20;120;和220)。Theacousticresonator(10;110;and。
薄膜體聲波諧振器(FBAR)的結構制備工藝研究-會議論文-道客巴巴
關(guan)鍵詞(ci):微波(bo)濾波(bo)器(qi)(qi)時(shi)域有限差分法階梯阻抗諧振(zhen)器(qi)(qi)橢圓函(han)數(shu)濾波(bo)器(qi)(qi)多層6湯亮;郝震宏;喬東(dong)海;汪承(cheng)灝;;ZnO固態裝配型(xing)諧振(zhen)器(qi)(qi)(SMR)的模擬分析[A];。
固貼式薄膜體聲波諧振器用材料體系研究進展-豆丁網
摘要固態微(wei)型諧振(zhen)器的工(gong)作(zuo)頻率(lv)高、功率(lv)容量(liang)大、損耗低、體積小,是目(mu)前有望第三種(zhong)為本研究采用反射層(ceng)聲(sheng)學隔離(li)固定結構(SolidlyMountedResonatorSMR),如圖(tu)l一(yi)。
MEMS固態引信諧振器的系統級設計與仿真-《科技廣場》2007年09期
在固態裝配型(xing)(xing)諧振(zhen)器(qi)(SMR)方面,論文采用上述模型(xing)(xing)分析了四分之一波長(chang)布拉格反射柵對其(qi)諧振(zhen)特性的影響(xiang),得到了SMR器(qi)件獲得理想性能所需的少反射柵對數;另外,考慮到實際。
復合雙壓電層FBAR的建模與仿真楊成韜1,李健雄1,許紹俊2,銳1,-
這樣形成的諧振器(qi)是固態(tai)裝配諧振器(qi)(SMR)。Thethusformedassemblyoftheresonatoriidresonator(SMR).在(zai)一個實施例中,襯(chen)底12由(you)硅(Si)制成,。
基于基片集成波導的高性能毫米波平面振蕩器研究與應用-《電子
大字報(bao)利用(yong)無線傳(chuan)感器(qi)網絡實現運動聲源的(de)定(ding)位與跟蹤錄取,報(bao)告用(yong)相對運動幾何(he)求解BOT問(wen)題ZnO固(gu)態(tai)裝配型諧振器(qi)(SMR)的(de)模擬分析PGC解調(diao)光纖傳(chuan)聲器(qi)技術的(de)討論一種單(dan)。
CN1229917C-Soundwaveresonator-Google
將上(shang)述壓電(dian)薄(bo)膜(mo)諧(xie)振器分為兩種類型,FBAR(薄(bo)膜(mo)腔聲諧(xie)振器)和SMR(固態(tai)裝(zhuang)配諧(xie)振器)。FBAR包括層疊(die)在諸如(ru)硅或玻璃的基板上(shang)的上(shang)電(dian)極膜(mo)、壓電(dian)膜(mo)和下電(dian)極膜(mo)的層疊(die)。
無線通信系統中的微波濾波器性能及小型化研究-《上海大學》2004
2007年10月(yue)31日-壓電薄(bo)膜諧(xie)(xie)振(zhen)(zhen)器可(ke)分成(cheng)FBAR(薄(bo)膜塊(kuai)體聲波諧(xie)(xie)振(zhen)(zhen)器)型(xing)和SMR(固(gu)態(tai)裝配諧(xie)(xie)振(zhen)(zhen)器,solidlymountedresonator)型(xing)。Thepiezoelectricthinfilmresonatormay。
基于MoTi布拉格反射層的固態微型諧振器與濾波器的研究-豆丁網
該傳感器是混合型諧(xie)振(zhen)(zhen)無源諧(xie)振(zhen)(zhen)結構,其可以在制造過程中被集成于車輛地(di)面連接裝(zhuang)置HBAR“高模(mo)薄(bo)膜(mo)體聲波諧(xie)振(zhen)(zhen)器”),或者帶有(you)布拉格反射鏡(SMR“固態(tai)裝(zhuang)配(pei)型諧(xie)振(zhen)(zhen)。
基于CMOS工藝的高性能射頻濾波器:體聲波濾波器BAW_百度文庫
該傳感(gan)器是混(hun)合型諧(xie)(xie)振(zhen)無源諧(xie)(xie)振(zhen)結構,其可以在制造過程中被集成(cheng)于車輛(liang)地面(mian)連接裝(zhuang)置HBAR"高模(mo)薄膜體聲(sheng)波諧(xie)(xie)振(zhen)器"),或者帶有布拉(la)格反射鏡(SMR"固態裝(zhuang)配型諧(xie)(xie)振(zhen)器"。
院機構知識庫網格(CASIRGRID):MEMS射頻薄膜體聲波諧振器(
2010年(nian)6月16日(ri)-[0020]壓電薄膜諧振(zhen)器包(bao)括FBAR型(xing)和SMR型(xing),其(qi)中FBAR是(shi)薄膜體聲波諧振(zhen)器(Film-BulkAcousticResonator)的縮寫(xie),以及(ji)SMR是(shi)固態安裝諧振(zhen)器(SolidlyMounted。
CN1845453A-Acousticresonatorperformanceenhancement
2005年10月5日-將上述壓電薄(bo)膜諧(xie)振器分為兩種類型(xing),FBAR(薄(bo)膜腔聲(sheng)諧(xie)振器)和SMR(固態裝配諧(xie)振器)。Theabovepiezoelectricthinfilmresonatorisdividedinto。
薄膜諧振器技術概述_百度文庫
[0003]壓電(dian)薄膜(mo)諧(xie)振(zhen)器可分成(cheng)FBAR(薄膜(mo)塊體聲波諧(xie)振(zhen)器)型(xing)和(he)SMR(固態裝(zhuang)配諧(xie)振(zhen)器,solidlymountedresonator)型(xing)。FBAR具有由(you)上部(bu)(bu)電(dian)極、壓電(dian)膜(mo)和(he)下部(bu)(bu)電(dian)極構成(cheng)的。