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碳化硅粉末中雜質元素的測定-《上海金屬.有色分冊》1992年05期

陶瓷材料等離子發射光譜法微量(liang)雜(za)質元(yuan)素測定微電子工業發動(dong)機雜(za)質分析高(gao)溫(wen)技術聚變(bian)裝置微量(liang)元(yuan)素。

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如碲化(hua)(hua)(hua)鉛(qian)(PbTe)、砷化(hua)(hua)(hua)銦(InAs)、硫化(hua)(hua)(hua)鉛(qian)(PbS)、碳(tan)化(hua)(hua)(hua)硅(SiC)等(deng)。與金屬材料不同(tong),半導(dao)體中雜質含量和外界(jie)條件的改變(如溫度變化(hua)(hua)(hua)、受光(guang)照射(she)等(deng)),都會(hui)使半導(dao)體的。

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怎樣去除碳(tan)化(hua)硅(gui)制品(pin)中的雜質(zhi)沒有(you)任何(he)一件事(shi)物(wu)是(shi)沒有(you)雜質(zhi)的,即便是(shi)很多(duo)化(hua)學原料或者經過(guo)多(duo)重步(bu)驟(zou)產(chan)生(sheng)的高科技產(chan)品(pin),所以,目前市場上出現(xian)的碳(tan)化(hua)硅(gui)產(chan)品(pin)也有(you)很多(duo)雜質(zhi)。但是(shi)。

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本發明涉(she)及(ji)一(yi)種應用X射線(xian)熒光光譜法檢測碳化(hua)硅(gui)雜質含量的方(fang)法,其步驟如下:1、制(zhi)備測試(shi)樣(yang)(yang)片(pian);2、制(zhi)備標準樣(yang)(yang)片(pian):①提純碳化(hua)硅(gui)的制(zhi)樣(yang)(yang);②碳化(hua)硅(gui)提純,制(zhi)備出純品(pin)碳化(hua)硅(gui);③。

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現在(zai)的(de)(de)原料主要成分是硅和碳化硅的(de)(de)混(hun)合物,里面含有(you)少量(liang)鐵雜質,怎樣除去鐵,請各位賜教,謝(xie)謝(xie)。

應用X射線熒光光譜法檢測碳化硅雜質含量的方法-查詢下載-中國

2012年12月28日-碳化(hua)硅晶體中的(de)雜質(zhi)是:鐵、鋁(lv)、鈣、鎂、硅等的(de)氧(yang)化(hua)物(wu)和(he)碳化(hua)物(wu),以(yi)及它們的(de)共熔物(wu)。這些雜質(zhi)在冶煉爐熱動力條件下(xia),溫度在2100——2200℃時被蒸(zheng)發排。

如何去除硅和碳化硅的混合物中的少量鐵雜質-非金屬-小木蟲-

[24]β-碳化(hua)(hua)(hua)硅(gui)因其相較α-碳化(hua)(hua)(hua)硅(gui)擁(yong)有(you)更高的比表(biao)面積(ji),所以(yi)可用(yong)于非均相催化(hua)(hua)(hua)劑的負(fu)載(zai)體。純(chun)的碳化(hua)(hua)(hua)硅(gui)是無色(se)的,工(gong)業(ye)用(yong)碳化(hua)(hua)(hua)硅(gui)由(you)于含有(you)鐵等雜質(zhi)而呈現棕(zong)色(se)黑色(se)晶體。

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開始時(shi)間:結束時(shi)間:雜質碳(tan)(tan)(tan)加(jia)工工藝-催化(hua)劑,二氧化(hua)碳(tan)(tan)(tan),碳(tan)(tan)(tan)化(hua)硅(gui),X射線,生產碳(tan)(tan)(tan)化(hua)硅(gui)版(ban)的(de)出價/購買記錄Top一口價:元該物品已下架立即購買。

碳化硅-維基百科,自由的百科全書

導熱(re)率:碳化硅制品(pin)的導熱(re)率非(fei)常非(fei)常高,熱(re)膨脹參(can)數小巧(qiao),抗熱(re)震性非(fei)常非(fei)常高,是優(you)質(zhi)的耐火(huo)材料。3、電學屬性恒溫下(xia)工業碳化硅是一種半導體,屬雜(za)質(zhi)導電性。高純度。

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舉報文(wen)檔介紹暫無描述文(wen)檔分類(lei)待分類(lei)文(wen)檔格式.pdf文(wen)檔標簽(qian)加(jia)熱棒(bang)碳化硅石墨(mo)雜質數值(zhi)溫度評論(lun)評論(lun)的時候,請遵(zun)紀守法并注(zhu)意(yi)語言文(wen)明,多給文(wen)檔。

碳化硅的特性和根本機能

碳化硅中雜質的(de)(de)形(xing)態(tai)-碳化硅中雜質的(de)(de)形(xing)態(tai)碳化硅的(de)(de)研發(fa)(fa)成功(gong)并很好的(de)(de)利用是市場發(fa)(fa)展(zhan)過程(cheng)中的(de)(de)一大進步點,特別是對于1893年(nian)艾奇遜(xun)的(de)(de)發(fa)(fa)明為引子,由此推出的(de)(de)國內由趙廣(guang)和(he)。

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2011年6月14日(ri)-碳(tan)化硅在現代工業生(sheng)產(chan)中的應用范圍比較(jiao)廣泛,比較(jiao)為人們所了解的是應用于磨料(liao)、磨具領域。但(dan)是隨(sui)著(zhu)科學技術的進(jin)步,人們對(dui)碳(tan)化硅的認識(shi)也(ye)逐漸(jian)深入,由此開發(fa)。

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碳化(hua)硅(gui)(SiC)是(shi)用石(shi)英砂(sha)、石(shi)油焦(或(huo)煤焦)、木(mu)屑為(wei)原料通過(guo)電(dian)阻(zu)爐高溫冶煉而成。碳化(hua)硅(gui)在大(da)自然也存在罕見的(de)礦物,莫桑石(shi)。碳化(hua)硅(gui)又稱(cheng)<a。

二次離子質譜分析碳化硅中釩雜質含量的研究-碩士論文-道客巴巴

碳(tan)(tan)(tan)化(hua)(hua)硅;物理性質(zhi)(zhi)性狀:綠(lv)色(se)(se)藍(lan)黑色(se)(se)結(jie)晶性粉末(mo).含(han)雜質(zhi)(zhi)的(de)碳(tan)(tan)(tan)化(hua)(hua)硅為綠(lv)色(se)(se),固性狀:綠(lv)色(se)(se)藍(lan)黑色(se)(se)結(jie)晶性粉末(mo).含(han)雜質(zhi)(zhi)的(de)碳(tan)(tan)(tan)化(hua)(hua)硅為綠(lv)色(se)(se),固溶有炭和金(jin)屬氧化(hua)(hua)物雜質(zhi)(zhi)呈黑色(se)(se)。密。

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2013年4月24日-碳(tan)化硅俗稱(cheng)金剛石,又(you)稱(cheng)碳(tan)硅石,主要用(yong)作(zuo)耐(nai)磨材(cai)(cai)料,耐(nai)火(huo)材(cai)(cai)料,核反應堆材(cai)(cai)料及制造電阻發(fa)熱(re)硅碳(tan)棒(管(guan)),半導(dao)體元件,C二級管(guan),晶體管(guan),電器元件,火(huo)箭噴管(guan)等。

加強生產工藝管理提高碳化硅產品質量——寧夏天凈集團碳化硅

產業(ye)領(ling)域(yu):新能源(yuan)光伏(fu)需(xu)求類型:技術服務(wu)需(xu)求編號:189-07制粉是碳化硅(gui)微粉生產中的重(zhong)要工序,但由于碳化硅(gui)的硬度較高(gao),其莫氏(shi)硬度為9.5級,在莫氏(shi)硬度標(biao)準中僅(jin)低于金剛石。

碳化硅-搜搜百科

本(ben)文采用(yong)ICP-MS法對高純碳化硅粉表面(mian)的Na、Al、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Cd12種痕量雜質進(jin)行測定,用(yong)氫氟酸溶(rong)液浸提試(shi)樣表面(mian)雜質,用(yong)釔做內標補償。

碳化硅|化合物-查字典

一種無(wu)TiC雜質相的碳(tan)化硅鈦(tai)陶瓷(ci)粉體(ti)的合成方法,其(qi)特征在于:(1)以Ti粉、Si粉和TiC本發明公開了一種低成本無(wu)TiC雜質相的碳(tan)化硅鈦(tai)陶瓷(ci)粉體(ti)的常壓(ya)合成方法,。

二次離子質譜分析碳化硅中釩雜質含量的研究-收費碩士博士論文-

臨沂市金蒙碳(tan)化(hua)硅(gui)有限公(gong)司是一(yi)家擁有國(guo)內先進的(de)碳(tan)化(hua)硅(gui)微粉(fen),黑(hei)(hei)碳(tan)化(hua)硅(gui),綠(lv)碳(tan)化(hua)硅(gui),綠(lv)碳(tan)化(hua)硅(gui)微粉(fen),黑(hei)(hei)碳(tan)化(hua)硅(gui)微粉(fen),碳(tan)化(hua)硅(gui)粒度砂,生產線和(he)工藝技術,服(fu)務熱線:400-6291-618。

碳化硅成分及性質_行業新聞_濟源防腐耐磨材料有限公司

2008年(nian)5月9日-碳化(hua)硅電(dian)力(li)電(dian)子器件(jian)研發進展(zhan)與(yu)存(cun)在問題,1引言借(jie)助于(yu)微電(dian)子技(ji)術的長足發展(zhan),以硅器件(jian)為基礎的電(dian)力(li)電(dian)子技(ji)術因大(da)功率場(chang)效應晶體管(功率MOS)和絕緣柵雙極晶體。

要除去碳化硅中的含鐵的雜質和氧化鋁膠體及游離碳,需要進行酸

1、游離硅(gui)(gui)。它(ta)一部(bu)分溶解于(yu)(yu)SiC晶體(ti)中(zhong),一部(bu)分與(yu)其雜質(如(ru)鐵、鋁、鈣等)形成合金而粘附于(yu)(yu)晶體(ti)上或嵌在(zai)晶體(ti)中(zhong)。2、游離二氧化硅(gui)(gui)。通常存在(zai)于(yu)(yu)晶體(ti)表面。大都是(shi)由于(yu)(yu)。

請教一下有關碳化硅的一些問題_化學吧_百度貼吧

對SiC中基態施主能(neng)級(ji)分裂對雜(za)(za)質電(dian)離的(de)(de)影(ying)響,與溫度、摻雜(za)(za)濃(nong)度和(he)雜(za)(za)質能(neng)級(ji)深度的(de)(de)關系進行了系統研(yan)究。發現只有在(zai)高(gao)溫且摻雜(za)(za)濃(nong)度低(di)的(de)(de)情(qing)況下,能(neng)級(ji)分裂的(de)(de)影(ying)響很小可(ke)忽略不計。

(189-07,新能源光伏,技術服務)碳化硅微粉中鐵雜質清除裝置及方法

氮(dan)化(hua)硅(gui)結(jie)合(he)碳化(hua)硅(gui)材料反應燒結(jie)時的(de)雜質(zhi)相行為(wei)分析(xi),郝小勇;-陶瓷工程1998年第03期在線閱讀、文章(zhang)下載。<正;l前言(yan)Si3N4結(jie)合(he)SIC材料的(de)研(yan)究近年來在國內發展較快(kuai),該。

ICP-MS法測定高純碳化硅粉表面的痕量雜質Determinationoftrace

分析(xi)了Si3N4結合(he)Si3C材料反應燒結時(shi)Fe2O3、SiO2、Al2O3、CaO等雜質相(xiang)的反應行(xing)(xing)為。氮化(hua)硅結合(he)碳化(hua)硅材料反應燒結時(shi)的雜質相(xiang)行(xing)(xing)為分析(xi)前言(yan):分析(xi)了Si3N4結合(he)Si3C材料。

碳化硅陶瓷工藝流程解析-新聞-九正建材網(中國建材網)

[圖(tu)文]目前,國(guo)內使用的(de)切割(ge)液和(he)碳化(hua)硅微粉在線(xian)切割(ge)過程中(zhong),砂漿中(zhong)不可避(bi)免的(de)會混入(ru)硅粉、鐵、高(gao)聚物等雜(za)質(zhi),部分碳化(hua)硅微粉也會因(yin)切割(ge)作用而出現(xian)破損(sun),產生的(de)廢砂漿很難繼續。

一種無TiC雜質相的碳化硅鈦陶瓷粉體的合成方法-200710118878-錢眼

氮化(hua)硅結(jie)(jie)合碳化(hua)硅材料反(fan)應(ying)(ying)燒結(jie)(jie)時的雜質相行(xing)為分析-分析了Si3N4結(jie)(jie)合Si3C材料反(fan)應(ying)(ying)燒結(jie)(jie)時Fe2O3、SiO2、Al2O3、CaO等雜質相的反(fan)應(ying)(ying)行(xing)為。

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碳化硅電力電子器件研發進展與存在問題

淄(zi)博鑄泰碳(tan)(tan)素有(you)限(xian)公司碳(tan)(tan)化硅(gui)簡介:碳(tan)(tan)化硅(gui)英文(wen)名(ming)稱(cheng):siliconcarbide,俗稱(cheng)金(jin)剛砂(sha)。純碳(tan)(tan)化硅(gui)是無色透明的晶體(ti)。工業碳(tan)(tan)化硅(gui)因所含雜質的種類和(he)含量不同(tong),而呈淺黃、綠、藍。

工業生產的碳化硅砂除主成分SiC外,通常含有2%~5%的雜質。這些

SiC中基態施主能級分裂對雜質電離的影響-碳化硅;基態施主能級

氮化硅結合碳化硅材料反應燒結時的雜質相行為分析-《陶瓷工程》

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